中國還要多久才能發明光刻機

A. 到2030年中國的光刻機水平如何

2030年實現1.5nm光刻。
隨著晶元製程越來越小，技術難度越來越高，摩爾定律放緩，台積電表示2024年可能實現量產2nm，1nm目前未知，而ASML的第二代EUV系統預期2024年問世，2030年實現1.5nm光刻。這對於中國而言是一個非常好的機會，我們國家目前想要在2030年的時候實現EUV光刻機國產化。

B. 我國的光刻機5納米生產技術要多久才能突破

月初一條「中科院5nm激光光刻技術突破」的新聞火了，在很多無良自媒體的口中這則新聞完全變了味，給人的感覺像是中國不久將會擁有自己的5nm光刻機，其實真實情況完全不是一回事。下面我們就來談談這則新聞真實的內容到底是什麼，以及中國光刻機5nm生產技術還要多久才能取得突破。

中國和荷蘭ASML的差距最起碼也在十年以上現在國內最好的光刻機生產企業應該是上海微電子，目前生產的最好光刻機也只是90nm的製程。盡管有傳言說上海微電子明年將會推出28nm的全新光刻機，但是和ASML的EUV光刻機精度依舊相差甚遠。中國想要生產5nm的光刻機有一個最大的難點，就是自主研發。這不光意味著我們需要跨越從28nm到5nm這個巨大的障礙，並且在突破的過程中最好不要使用其他國家的專利，只能發展出一條屬於自己的光刻機道路。需要達成這么多的條件，研發的難度可想而知。總的來說短時間內我國的光刻機技術取得重大突破的概率為0，還是要被人牽著鼻子走。落後就要被挨打卡脖子在任何時候都是真理，只希望我們國家的科研人員能夠迎頭趕上，盡快取得突破吧。

C. 中國光刻機

中國光刻機歷程

1964年中國科學院研製出65型接觸式光刻機；1970年代，中國科學院開始研製計算機輔助光刻掩膜工藝；清華大學研製第四代分部式投影光刻機，並在1980年獲得成功，光刻精度達到3微米，接近國際主流水平。而那時，光刻機巨頭ASML還沒誕生。

然而，中國在1980年代放棄電子工業，導致20年技術積累全部付諸東流。1994年武漢無線電元件三廠破產改制，賣副食品去了。

1965年中國科學院研製出65型接觸式光刻機。

1970年代，中國科學院開始研製計算機輔助光刻掩模工藝。

1972年，武漢無線電元件三廠編寫《光刻掩模版的製造》。

1977年，我國最早的光刻機GK-3型半自動光刻機誕生，這是一台接觸式光刻機。

1978年，1445所在GK-3的基礎上開發了GK-4，但還是沒有擺脫接觸式光刻機。

1980年，清華大學研製第四代分步式投影光刻機獲得成功，光刻精度達到3微米，接近國際主流水平。

1981年，中國科學院半導體所研製成功JK-1型半自動接近式光刻機。

1982年，科學院109廠的KHA-75-1光刻機，這些光刻機在當時的水平均不低，最保守估計跟當時最先進的canon相比最多也就不到4年。

1985年，機電部45所研製出了分步光刻機樣機，通過電子部技術鑒定，認為達到美國4800DSW的水平。這應當是中國第一台分步投影式光刻機，中國在分步光刻機上與國外的差距不超過7年。

但是很可惜，光刻機研發至此為止，中國開始大規模引進外資，有了＂造不如買」科技無國界的思想。光刻技術和產業化，停滯不前。放棄電子工業的自主攻關，諸如光刻機等科技計劃被迫取消。

九十年代以來，光刻光源已被卡在193納米無法進步長達20年，這個技術非常關鍵，這直接導致ASML如此強勢的關鍵。直到二十一世紀，中國才剛剛開始啟動193納米ArF光刻機項目，足足落後ASML20多年。

D. 中國何時能造出來自己的光刻機

現在世界上頂級的設備毋庸置疑就是ASML的5納米光刻機。這台機器如果一一拆分開來的話可以裝進大約40個集裝箱之中，超過100000萬個零件的總數量在機器領域絕對算得上是龐然大物。而且這10萬個零件之中，精密儀器、頂級光源、超穩定軸承和計量器一個都不少。它們分別來自全球各個國家，包括日本、德國和美國。而其中，美國為光刻機提供的基礎零件其實也比較多，正因如此他們才能如此硬氣的要求晶元代加工廠商禁止向華為輸出產品。

E. 蔣尚義需要多長時間才能研製出光刻機

我認為就目前的科技水平，蔣尚義還是需要很久才會研製出光刻機的，至少需要五年的時間才可以成功。因為需要解決的東西還需要很多。

F. 中國有可能研發出成熟的光刻機嗎如果能，要多久

中國目前已經有了成熟的光刻機產品，只是說在技術水平上和光刻機的領頭羊ASML差距比較大而已。

目前國內的研發環境並不算好毫無疑問光刻機算的上目前科技界最頂尖的技術之一，這種技術要完成趕超需要不斷的和其他國家交流合作，從他們的產品中吸取經驗和教訓，進而才能在有限的時間內完成趕超。但是現在是什麼情況呢？國外的企業在光刻機領域紛紛拒絕合作，我們只能選擇閉門造車。只要美國不放鬆對國內光刻機企業的圍追堵截，那麼我們只能投入巨額的資金和技術慢慢追趕。不過ASML公司的產品已經和國內產品差距太大，短時間內沒有任何追趕上的可能性。如果我們想要繞過現有的光刻機技術走出一條自研道路，那麼需要的時間可能更久。從目前的形勢上看，我們的光刻機如果想追上現在國際一流水準的話最起碼都要十年以上，想要完成趕超更是天方夜談。不過現在壓力大也是好事，在強壓的下的中國企業肯定會更有拼勁，說不定未來會創造奇跡呢？

G. 我們何時能研發製造出自己的高端光刻機呢

不是只能停留在跟隨仿製光刻機的層面，而是我們連跟隨仿製可能都做不到；雖然這話聽起來有點掃興，但是這就是我國的真實現狀。要想生產出高端光刻機，需要很多領域的頂級供應商相互配合，下面我就簡單列舉下生產高端光刻機需要的三項技術，也好讓大家知道製造自己的光刻機到底有多難。

EUV光刻機在進行工作的時候每反射一次都會造成30%的能量損失，一束光源在多次反射後基本上所剩無幾，這就需要高精度的反射鏡頭保證每次反射都能准確完成。目前在ASML目前主要的EUV光刻機上都是使用的卡爾蔡司
SMT
全反射4倍光學變焦鏡頭組件，如果沒有和卡爾蔡司一直在光學領域保持的良好合作，EUV光刻機可能現在還只能停留在設想中。

ASML的一位高管曾經放放眼就算是中國拿到高端光刻機的圖紙，也照樣生產不出來高端光刻機，這還真不是一句大話。一台光刻機是世界上多個公司頂級技術的智慧結晶，再加上我國的光刻機起步晚基礎差，想要追趕起來確實太難了。

可能很多朋友想知道中國的光刻機在多少年後可以追上ASML現在的標准，如果國家不計成本的給予資金和技術的投入，最樂觀的估計也要十年之久。不過我們國家在進步的同時ASML也不會原地踏步，到時候還是要被它遠遠甩開的。

H. 為什麼光刻機不需要大學和研究機構操心中國突破需要幾年

近年來，隨著我國科技的高速發展，美國為了保住自己第一科技大國的地位，便開始對我國高新技術企業進行打壓，而且手段不斷在升級。而在美國所有的制裁手段中，晶元斷供成為了他打壓我國企業最常用、最有效的手段。

其實，我國不是沒有光刻機，只不過是沒有做成高端而已。但是，隨著國內光刻機市場的擴大，美國不斷對我們進行封鎖，國內企業已經開始在光刻機方面不斷投入大量資金，進行技術的研發和更新，尤其是國內已經發現了可用於EUV光刻機的光源，筆者堅信，兩三年之後，國產光刻機必定能取得重大突破。

I. 中國什麼時侯能製造出達到國外水平的光刻機

以現在的技術來看我國確實達不到國外的水平，但是我們中國有決心，有耐心，我相信用不著太長的時間就會達到國外的水平。

J. 中國目前光刻機處於怎樣的水平為什麼短時間內造不出來

中國光刻機生產落後，關鍵還是能夠買進更先進的機器。如果西方國家實施制裁，禁止中國從西方進口，用不了幾年，光刻機的生產就是趕不上他們，也不會與他們有大差距。成立中國企業基金會，中國銀行聯盟基金會，給中國的各類裝備研發生產企業以年百億級別的資金支持，派出國家院士團隊全力支持研發，不愁一年兩年搞不出來。

光刻機是一台機器，你可以不斷分解這台機器，一直到各獨立原件，尤其那些關鍵是幾個部件，你會發現，做這個部件，要列出一大堆工藝設備技術，如同一棵樹散出無數枝條和樹葉，葉脈你就不要糾結了，就完善這些樹枝和樹葉就能把一萬人累死！

有人說的好：“錢不是萬能的，但沒有錢是萬萬不能的”，但是還有人說的一句話更有道理：“有錢能解決的問題都不是問題”，而晶元等領域恰恰是光有錢也不一定能解決問題的，否則為什麼我們要花那麼多錢錢去買，為什麼華為寧可被罰了那麼多錢也要美國的晶元，不會把這些錢投入自己造啊，關鍵是有錢也造不出啊！有些領域一不能逆向模仿，二不能彎道超車，三不是喊“口號”喊出來的，抓緊追趕才是正道。

中國只要不計成本，搞出高端光刻機是早晚的事，如果高端晶元也搞出來，自己的光刻機給自己的晶元廠商用，不用再進囗，國外晶元廠商賣不動晶元，自然不再買光刻機，逼迫荷蘭光刻機廠商大虧損，甚至垮台，中國在世界就是真正的巨人了。賺錢就是自然的了。這事全世界只有中國能做。