中國的光刻機哪裡來的

Ⅰ 中芯國際光刻機哪裡來的

從荷蘭ASML光刻機公司進口來的

Ⅱ 現代的高端光刻機，哪些國家才能製造

荷蘭和日本。最大的光刻機製造商是荷蘭ASML，這是一家總部設在荷蘭埃因霍芬（Eindhoven）的全球最大的半導體設備製造商之一，向全球復雜集成電路生產企業提供領先的綜合性關鍵設備。ASML的股票分別在阿姆斯特丹及紐約上市。

產品服務

ASML為半導體生產商提供光刻機及相關服務，TWINSCAN系列是目前世界上精度最高，生產效率最高，應用最為廣泛的高端光刻機型。目前全球絕大多數半導體生產廠商，都向ASML采購TWINSCAN機型，比如英特爾（Intel）、三星（Samsung）、海力士（Hynix）、台積電（TSMC）、中芯國際（SMIC）等。

ASML的產品線分為PAS系列、AT系列、XT系列和NXT系列，其中PAS系列現已停產；AT系列屬於老型號，多數已經停產。市場上的主力機種是XT系列以及NXT系列，為ArF和KrF激光光源，XT系列是成熟的機型，分為乾式和沉浸式兩種，而NXT系列則是現在主推的高端機型，全部為沉浸式。

Ⅲ 中國光刻機

中國光刻機歷程

1964年中國科學院研製出65型接觸式光刻機；1970年代，中國科學院開始研製計算機輔助光刻掩膜工藝；清華大學研製第四代分部式投影光刻機，並在1980年獲得成功，光刻精度達到3微米，接近國際主流水平。而那時，光刻機巨頭ASML還沒誕生。

然而，中國在1980年代放棄電子工業，導致20年技術積累全部付諸東流。1994年武漢無線電元件三廠破產改制，賣副食品去了。

1965年中國科學院研製出65型接觸式光刻機。

1970年代，中國科學院開始研製計算機輔助光刻掩模工藝。

1972年，武漢無線電元件三廠編寫《光刻掩模版的製造》。

1977年，我國最早的光刻機GK-3型半自動光刻機誕生，這是一台接觸式光刻機。

1978年，1445所在GK-3的基礎上開發了GK-4，但還是沒有擺脫接觸式光刻機。

1980年，清華大學研製第四代分步式投影光刻機獲得成功，光刻精度達到3微米，接近國際主流水平。

1981年，中國科學院半導體所研製成功JK-1型半自動接近式光刻機。

1982年，科學院109廠的KHA-75-1光刻機，這些光刻機在當時的水平均不低，最保守估計跟當時最先進的canon相比最多也就不到4年。

1985年，機電部45所研製出了分步光刻機樣機，通過電子部技術鑒定，認為達到美國4800DSW的水平。這應當是中國第一台分步投影式光刻機，中國在分步光刻機上與國外的差距不超過7年。

但是很可惜，光刻機研發至此為止，中國開始大規模引進外資，有了＂造不如買」科技無國界的思想。光刻技術和產業化，停滯不前。放棄電子工業的自主攻關，諸如光刻機等科技計劃被迫取消。

九十年代以來，光刻光源已被卡在193納米無法進步長達20年，這個技術非常關鍵，這直接導致ASML如此強勢的關鍵。直到二十一世紀，中國才剛剛開始啟動193納米ArF光刻機項目，足足落後ASML20多年。

Ⅳ 光刻機哪個國家能造

中國、日本、荷蘭。

在能夠製造機器的這幾家公司中，尤其以荷蘭（ASML）技術最為先進。價格也最為高昂。光刻機的技術門檻極高，堪稱人類智慧集大成的產物。

目前在全球45納米以下高端光刻機市場當中，荷蘭ASML市場佔有率達到80%以上，而且目前ASML是全球唯一能夠達到7納米精度光刻機的提供商，所以ASML才是全球晶元業真正的超級霸主一點都不過分。

主要性能指標

光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，解析度、對准精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。

解析度是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的解析度受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。

對准精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。

曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。

曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子激光器等。

Ⅳ 中國最新的光刻機是什麼那家公司造成的

咨詢記錄 · 回答於2021-10-22

Ⅵ 光刻機，是什麼。怎樣製作

光刻機是晶元製造的核心設備之一，按照用途可以分為好幾種：有用於生產晶元的光刻機；有用於封裝的光刻機；還有用於LED製造領域的投影光刻機。
用於生產晶元的光刻機是中國在半導體設備製造上最大的短板，國內晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口，本次廈門企業從荷蘭進口的光刻機就是用於晶元生產的設備。
二、工作原理
在加工晶元的過程中，光刻機通過一系列的光能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小後映射到矽片上，然後使用化學方法顯影，得到刻在矽片上的電路圖。
一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對准曝光、後烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經過一次光刻的晶元可以繼續塗膠、曝光。越復雜的晶元，線路圖的層數越多，也需要更精密的曝光控制過程。

Ⅶ 中國有自己的光刻機嗎

中國有自己的光刻機，由中國科學院光電技術研究所承擔的國家重大科研裝備研製項目「超分辨光刻裝備研製」通過驗收，這是世界上首台用紫外光實現了22nm解析度的超分辨光刻裝備，為納米光學加工提供了全新的解決途徑。

在光電所的努力下，中國的光刻機研製跳出了縮小波長、增大數值口徑來提高分辨力的老路子，為突破22nm甚至10nm光刻節點提供了一種全新的技術，也為超分辨光刻裝備提供了理論基礎。

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利用超分辨光刻裝備，項目組為航天科技集團第八研究院、中科院上海微系統與信息技術研究所、電子科技大學、四川大學華西二院、重慶大學等多家單位制備了一系列納米功能器件。

包括大口徑薄膜鏡、超導納米線單光子探測器、切倫科夫輻射器件、生化感測晶元、超表面成像器件等，驗證了超分辨光刻裝備納米功能器件加工能力，已達到實用化水平。

Ⅷ 中國光刻機發展歷史

光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對准曝光機，曝光系統，光刻系統等，是製造晶元的核心裝備。它採用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印製到矽片上。
生產集成電路的簡要步驟：
利用模版去除晶圓表面的保護膜。
將晶圓浸泡在腐化劑中，失去保護膜的部分被腐蝕掉後形成電路。
用純水洗凈殘留在晶圓表面的雜質。
其中曝光機就是利用紫外線通過模版去除晶圓表面的保護膜的設備。
一片晶圓可以製作數十個集成電路，根據模版曝光機分為兩種：
模版和晶圓大小一樣，模版不動。
模版和集成電路大小一樣，模版隨曝光機聚焦部分移動。
其中模版隨曝光機移動的方式，模版相對曝光機中心位置不變，始終利用聚焦鏡頭中心部分能得到更高的精度。成為的主流[1] 。
主要廠商
曝光機是生產大規模集成電路的核心設備，製造和維護需要高度的光學和電子工業基礎，世界上只有少數廠家掌握。因此曝光機價格昂貴，通常在 3 千萬至 5 億美元。
光刻機的品牌眾多，根據採用不同技術路線的可以歸納成如下幾類：
高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種，解析度通常七納米至幾微米之間，高端光刻機號稱世界上最精密的儀器，世界上已有1.2億美金一台的光刻機。高端光刻機堪稱現代光學工業之花，其製造難度之大，全世界只有少數幾家公司能夠製造。國外品牌主要以荷蘭ASML（鏡頭來自德國），日本Nikon（intel曾經購買過Nikon的高端光刻機）和日本Canon三大品牌為主。
位於我國上海的SMEE已研製出具有自主知識產權的投影式中端光刻機，形成產品系列初步實現海內外銷售。正在進行其他各系列產品的研發製作工作。
生產線和研發用的低端光刻機為接近、接觸式光刻機，解析度通常在數微米以上。主要有德國SUSS、美國MYCRO NXQ4006、以及中國品牌。

Ⅸ 光刻機生產廠家是

光刻機生產廠家是ASML。

自1984年以來，ASML的光刻解決方案便是半導體行業的創新領導者，在如此小的規模上實現了巨大的飛躍。硬體與軟體相結合，為在硅上批量生產圖案提供了一種整體方法。

在世界16個國家和地區有60阿斯麥公司的主要產品是用於生產大規模集成電路的核心設備光刻機。在世界同類產品中有90％的市佔率，在14納米製程以下有100％的市佔率。

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ASML為半導體生產商提供光刻機及相關服務，TWINSCAN系列是目前世界上精度最高，生產效率最高，應用最為廣泛的高端光刻機型。

全球絕大多數半導體生產廠商，都向ASML采購TWINSCAN機型，比如英特爾（Intel）、三星（Samsung）、海力士（Hynix）、台積電（TSMC）、中芯國際（SMIC）等。

Ⅹ 中國能造光刻機嗎

以我國現在的實力當然有能力生產光刻機。在很早以前，中國上海微電子SMEE就已經生產了SSB500/10A型號的光刻機產品，並且已經交付使用，不過，目前中國能夠量產的光刻機性能最好的是90nm光刻機，和荷蘭ASML公司最先進的5nm光刻機仍有著巨大的差異，然而製造先進光刻機技術的封鎖，那我們還無法學到難道更為先進的光刻機技術，以致於現在國內所需要的高端光刻機也只能依賴進口。
現在，在高端光刻機領域荷蘭ASML一直霸佔了龍頭老大的位置，他們生產的光刻機占據了市場份額的80%左右，可以說近乎壟斷了高端光科技的市場，目前在世界上最先進的EUV光刻機也只有ASML能夠生產，而這種光刻機的售價高達1億美元一台，無論是Intel還是台積電所需要的14nm光刻機，都需要從他們這里購買。