㈠ 中國國產的光刻機最小製程能達到多少
90納米。
封裝光刻機在國內市場已佔據不小的份額,這是國產光刻機取得的進步。然而在代表著光刻機技術水平的晶圓製造光刻機方面,上海微裝可生產加工90nm工藝製程的光刻機,這是國產光刻機最高水平,而ASML如今已量產7nm工藝製程EUV光刻機,兩者差距不得不說非常大。
光刻機的最小解析度、生產效率、良率均在不斷發展。 光刻機的最小解析度由公示 R=kλ/NA,其中 R 代表可分辨的最小尺寸,對於光刻技術來說R 越小越好,k 是工藝常數,λ 是光刻機所用光源的波長。
NA 代表物鏡數值孔徑,與光傳播介質的折射率相關,折射率越大,NA 越大。光刻機製程工藝水平的發展均遵循以上公式。此外光刻機的內部構造和工作模式也在發展,不斷提升晶元的生產效率和良率。
(1)中國能造多少mm光刻機擴展閱讀:
注意事項:
進入機倉檢查或維修必須切斷電源,掛上警示牌並與中控,檢修或檢查時必須使用36V以下照明。
必須經常監視機器運轉情況,如聽任何不正常聲音,應立即停機檢查,查明原因並處理完故障後,方可重新起動。
正常運轉中,應特別注意電機和轉子的溫度變化,保證充足的油潤滑、水冷卻,超過規定值立即停機檢查。
運行時不準打開觀察孔,以防物料飛出傷人,每周應檢查一次轉子卡箍螺栓的松緊情況。
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