中国还要多久才能发明光刻机

A. 到2030年中国的光刻机水平如何

2030年实现1.5nm光刻。
随着芯片制程越来越小，技术难度越来越高，摩尔定律放缓，台积电表示2024年可能实现量产2nm，1nm目前未知，而ASML的第二代EUV系统预期2024年问世，2030年实现1.5nm光刻。这对于中国而言是一个非常好的机会，我们国家目前想要在2030年的时候实现EUV光刻机国产化。

B. 我国的光刻机5纳米生产技术要多久才能突破

月初一条“中科院5nm激光光刻技术突破”的新闻火了，在很多无良自媒体的口中这则新闻完全变了味，给人的感觉像是中国不久将会拥有自己的5nm光刻机，其实真实情况完全不是一回事。下面我们就来谈谈这则新闻真实的内容到底是什么，以及中国光刻机5nm生产技术还要多久才能取得突破。

中国和荷兰ASML的差距最起码也在十年以上现在国内最好的光刻机生产企业应该是上海微电子，目前生产的最好光刻机也只是90nm的制程。尽管有传言说上海微电子明年将会推出28nm的全新光刻机，但是和ASML的EUV光刻机精度依旧相差甚远。中国想要生产5nm的光刻机有一个最大的难点，就是自主研发。这不光意味着我们需要跨越从28nm到5nm这个巨大的障碍，并且在突破的过程中最好不要使用其他国家的专利，只能发展出一条属于自己的光刻机道路。需要达成这么多的条件，研发的难度可想而知。总的来说短时间内我国的光刻机技术取得重大突破的概率为0，还是要被人牵着鼻子走。落后就要被挨打卡脖子在任何时候都是真理，只希望我们国家的科研人员能够迎头赶上，尽快取得突破吧。

C. 中国光刻机

中国光刻机历程

1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机；1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺；清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。而那时，光刻机巨头ASML还没诞生。

然而，中国在1980年代放弃电子工业，导致20年技术积累全部付诸东流。1994年武汉无线电元件三厂破产改制，卖副食品去了。

1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。

1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。

1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。

1977年，我国最早的光刻机GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。

1978年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。

1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。

1981年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。

1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。

1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。

但是很可惜，光刻机研发至此为止，中国开始大规模引进外资，有了＂造不如买”科技无国界的思想。光刻技术和产业化，停滞不前。放弃电子工业的自主攻关，诸如光刻机等科技计划被迫取消。

九十年代以来，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，这个技术非常关键，这直接导致ASML如此强势的关键。直到二十一世纪，中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。

D. 中国何时能造出来自己的光刻机

现在世界上顶级的设备毋庸置疑就是ASML的5纳米光刻机。这台机器如果一一拆分开来的话可以装进大约40个集装箱之中，超过100000万个零件的总数量在机器领域绝对算得上是庞然大物。而且这10万个零件之中，精密仪器、顶级光源、超稳定轴承和计量器一个都不少。它们分别来自全球各个国家，包括日本、德国和美国。而其中，美国为光刻机提供的基础零件其实也比较多，正因如此他们才能如此硬气的要求芯片代加工厂商禁止向华为输出产品。

E. 蒋尚义需要多长时间才能研制出光刻机

我认为就目前的科技水平，蒋尚义还是需要很久才会研制出光刻机的，至少需要五年的时间才可以成功。因为需要解决的东西还需要很多。

F. 中国有可能研发出成熟的光刻机吗如果能，要多久

中国目前已经有了成熟的光刻机产品，只是说在技术水平上和光刻机的领头羊ASML差距比较大而已。

目前国内的研发环境并不算好毫无疑问光刻机算的上目前科技界最顶尖的技术之一，这种技术要完成赶超需要不断的和其他国家交流合作，从他们的产品中吸取经验和教训，进而才能在有限的时间内完成赶超。但是现在是什么情况呢？国外的企业在光刻机领域纷纷拒绝合作，我们只能选择闭门造车。只要美国不放松对国内光刻机企业的围追堵截，那么我们只能投入巨额的资金和技术慢慢追赶。不过ASML公司的产品已经和国内产品差距太大，短时间内没有任何追赶上的可能性。如果我们想要绕过现有的光刻机技术走出一条自研道路，那么需要的时间可能更久。从目前的形势上看，我们的光刻机如果想追上现在国际一流水准的话最起码都要十年以上，想要完成赶超更是天方夜谈。不过现在压力大也是好事，在强压的下的中国企业肯定会更有拼劲，说不定未来会创造奇迹呢？

G. 我们何时能研发制造出自己的高端光刻机呢

不是只能停留在跟随仿制光刻机的层面，而是我们连跟随仿制可能都做不到；虽然这话听起来有点扫兴，但是这就是我国的真实现状。要想生产出高端光刻机，需要很多领域的顶级供应商相互配合，下面我就简单列举下生产高端光刻机需要的三项技术，也好让大家知道制造自己的光刻机到底有多难。

EUV光刻机在进行工作的时候每反射一次都会造成30%的能量损失，一束光源在多次反射后基本上所剩无几，这就需要高精度的反射镜头保证每次反射都能准确完成。目前在ASML目前主要的EUV光刻机上都是使用的卡尔蔡司
SMT
全反射4倍光学变焦镜头组件，如果没有和卡尔蔡司一直在光学领域保持的良好合作，EUV光刻机可能现在还只能停留在设想中。

ASML的一位高管曾经放放眼就算是中国拿到高端光刻机的图纸，也照样生产不出来高端光刻机，这还真不是一句大话。一台光刻机是世界上多个公司顶级技术的智慧结晶，再加上我国的光刻机起步晚基础差，想要追赶起来确实太难了。

可能很多朋友想知道中国的光刻机在多少年后可以追上ASML现在的标准，如果国家不计成本的给予资金和技术的投入，最乐观的估计也要十年之久。不过我们国家在进步的同时ASML也不会原地踏步，到时候还是要被它远远甩开的。

H. 为什么光刻机不需要大学和研究机构操心中国突破需要几年

近年来，随着我国科技的高速发展，美国为了保住自己第一科技大国的地位，便开始对我国高新技术企业进行打压，而且手段不断在升级。而在美国所有的制裁手段中，芯片断供成为了他打压我国企业最常用、最有效的手段。

其实，我国不是没有光刻机，只不过是没有做成高端而已。但是，随着国内光刻机市场的扩大，美国不断对我们进行封锁，国内企业已经开始在光刻机方面不断投入大量资金，进行技术的研发和更新，尤其是国内已经发现了可用于EUV光刻机的光源，笔者坚信，两三年之后，国产光刻机必定能取得重大突破。

I. 中国什么时侯能制造出达到国外水平的光刻机

以现在的技术来看我国确实达不到国外的水平，但是我们中国有决心，有耐心，我相信用不着太长的时间就会达到国外的水平。

J. 中国目前光刻机处于怎样的水平为什么短时间内造不出来

中国光刻机生产落后，关键还是能够买进更先进的机器。如果西方国家实施制裁，禁止中国从西方进口，用不了几年，光刻机的生产就是赶不上他们，也不会与他们有大差距。成立中国企业基金会，中国银行联盟基金会，给中国的各类装备研发生产企业以年百亿级别的资金支持，派出国家院士团队全力支持研发，不愁一年两年搞不出来。

光刻机是一台机器，你可以不断分解这台机器，一直到各独立原件，尤其那些关键是几个部件，你会发现，做这个部件，要列出一大堆工艺设备技术，如同一棵树散出无数枝条和树叶，叶脉你就不要纠结了，就完善这些树枝和树叶就能把一万人累死！

有人说的好：“钱不是万能的，但没有钱是万万不能的”，但是还有人说的一句话更有道理：“有钱能解决的问题都不是问题”，而芯片等领域恰恰是光有钱也不一定能解决问题的，否则为什么我们要花那么多钱钱去买，为什么华为宁可被罚了那么多钱也要美国的芯片，不会把这些钱投入自己造啊，关键是有钱也造不出啊！有些领域一不能逆向模仿，二不能弯道超车，三不是喊“口号”喊出来的，抓紧追赶才是正道。

中国只要不计成本，搞出高端光刻机是早晚的事，如果高端芯片也搞出来，自己的光刻机给自己的芯片厂商用，不用再进囗，国外芯片厂商卖不动芯片，自然不再买光刻机，逼迫荷兰光刻机厂商大亏损，甚至垮台，中国在世界就是真正的巨人了。赚钱就是自然的了。这事全世界只有中国能做。