1. 我国光量子芯片目前处于什么状态!是续研发还是投入试产距离商用还需几年时间投入大规模量产
目前我国光量子芯是处于一个早期阶段,是投入试产,至少需要8~10年的时间投入大规模量产!
2. 中国芯片制造技术取得突破,我国芯片行业要多久才可以赶上美国
这个没有一个准确的时间,我觉得只要我们潜心研发科学技术。应该能够很快的实现自己的梦想,毕竟我国的人才也是非常多的。
3. “神兽”光刻机之战,大胆猜测哪一家中国公司能够解光刻机之围
如果说自主技术,其实我国的光刻机还停留在上海微电子(SMEE)的90nm水平,而事实上它却代表着国内最先进的光刻机水准。而光刻机巨头ASML目前的水平是7nm EUV,事实上它也正朝着更先进的极紫外光刻机5nm工艺水平迈进了。国内外水平差距明显。
目前国内相关的机构也在重点突破光刻机技术,比如中科院光电所已经研究出光刻分辨力达22nm的技术,结合双重曝光技术可以实现10nm芯片的制造。但要明确是,要实现光刻机量产,需要数万个零部件要达到高精准度来支撑,目前国内产业链仍未达到。确实,与一些发达国家在芯片制造方面存在很大差距,主要原因是光刻机的局限性。难在高端零部件难以单独生产,难在紫外光源,难在精密机械工艺…即使是国内最先进的上海微电子,也还有相当长的路要走。