A. 我国的光刻机5纳米生产技术要多久才能突破
月初一条“中科院5nm激光光刻技术突破”的新闻火了,在很多无良自媒体的口中这则新闻完全变了味,给人的感觉像是中国不久将会拥有自己的5nm光刻机,其实真实情况完全不是一回事。下面我们就来谈谈这则新闻真实的内容到底是什么,以及中国光刻机5nm生产技术还要多久才能取得突破。
中国和荷兰ASML的差距最起码也在十年以上现在国内最好的光刻机生产企业应该是上海微电子,目前生产的最好光刻机也只是90nm的制程。尽管有传言说上海微电子明年将会推出28nm的全新光刻机,但是和ASML的EUV光刻机精度依旧相差甚远。中国想要生产5nm的光刻机有一个最大的难点,就是自主研发。这不光意味着我们需要跨越从28nm到5nm这个巨大的障碍,并且在突破的过程中最好不要使用其他国家的专利,只能发展出一条属于自己的光刻机道路。需要达成这么多的条件,研发的难度可想而知。总的来说短时间内我国的光刻机技术取得重大突破的概率为0,还是要被人牵着鼻子走。落后就要被挨打卡脖子在任何时候都是真理,只希望我们国家的科研人员能够迎头赶上,尽快取得突破吧。
B. 中国半导体行业何时才能超越台积电,制造出属于自己的中国芯
制造出属于自己的中国芯,估计再过20年吧。中芯国际最早在2035年才能追平台积电,让中国就有了自己的3纳米以下芯片,和美国、韩国以及中国台湾也有的并非自己的3纳米以下芯片同为全球顶级,中国不再只有7、5纳米这样的属于自己的芯片;至少再过5年才能超越台积电,独自登顶全球芯片制造,让中国独有了属于自己的1纳米以下芯片。
从此,哪个环节和领域的中国芯片企业就都不会再出现被卡脖子的情况,美国及其盟国盟友根本就没有这样的机会了。当然,中国不会去卡别国包括美国及其盟国盟友的芯片企业的脖子,而是一如既往、不计前嫌地推动国内芯片企业去主动积极地提供最好的服务,其结果将是提升全球供应链的水平。